একটি p- টাইপ সেমিকনডাক্টর উপাদান সামগ্রিকভাবে

একটি p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরির জন্য ইন্ট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টরে (যেমন সিলিকন বা জার্মেনিয়াম) ট্রাইভ্যালেন্ট অপদ্রব্য (যেমন বোরন, গ্যালিয়াম, ইন্ডিয়াম) ডোপিং করা হয়। ট্রাইভ্যালেন্ট অপদ্রব্যের পরমাণুতে তিনটি যোজ্যতা ইলেকট্রন থাকে, যা সেমিকন্ডাক্টরের চারটি যোজ্যতা ইলেকট্রনের তুলনায় একটি কম।

এই ডোপিংয়ের ফলে অতিরিক্ত হোল (hole) তৈরি হয়, যা ধনাত্মক চার্জ বহনকারী হিসেবে কাজ করে এবং p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরে মেজরিটি চার্জ ক্যারিয়ার (majority charge carrier) হয়।

তবে, এটি মনে রাখা জরুরি যে, এই ডোপিং প্রক্রিয়াটি সামগ্রিক উপাদানটির বৈদ্যুতিক চার্জকে পরিবর্তন করে না। ডোপিংয়ে ব্যবহৃত অপদ্রব্যের পরমাণু এবং মূল সেমিকন্ডাক্টর উভয়ই বৈদ্যুতিকভাবে নিরপেক্ষ। ইলেকট্রন অপসারণ বা যোগ না করে কেবল ইলেকট্রন বিন্যাসের পরিবর্তন করা হয়। যদিও হোলগুলো ধনাত্মক চার্জযুক্ত কণার মতো আচরণ করে, তারা আসলে ইলেকট্রনের অনুপস্থিতি মাত্র, নতুন কোনো ধনাত্মক চার্জযুক্ত কণা নয়। উপাদানটির মোট ইলেকট্রন সংখ্যা এবং মোট প্রোটন সংখ্যা সমান থাকে, তাই সামগ্রিকভাবে এটি বৈদ্যুতিকভাবে নিরপেক্ষ থাকে।

অতএব, একটি p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান সামগ্রিকভাবে বৈদ্যুতিকভাবে নিরপেক্ষ।

• ধনাত্মক চার্জ যুক্ত: এটি ভুল। কারণ যদিও হোল (ধনাত্মক চার্জ বাহক) এর সংখ্যা বেশি থাকে, সামগ্রিকভাবে উপাদানটি নিরপেক্ষ থাকে।
• ঋনাত্মক চার্জ যুক্ত: এটিও ভুল। কারণ এখানে কোনো অতিরিক্ত ইলেকট্রন যোগ করা হয় না।
• এর কোনটিই নয়: যেহেতু তৃতীয় অপশনটি সঠিক, এটি ভুল।