MOSFETS are-

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) হলো একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা ইলেকট্রনিক সার্কিটে এমপ্লিফায়ার (amplifier) বা সুইচ (switch) হিসেবে ব্যবহৃত হয়। MOSFET-এর অন্যতম প্রধান বৈশিষ্ট্য হলো এটি একটি ভোল্টেজ-কন্ট্রোল্ড ডিভাইস (voltage-controlled device)।

এর অর্থ হলো, MOSFET-এর গেটে (gate) প্রয়োগ করা ভোল্টেজ দ্বারা ড্রেন (drain) এবং সোর্সের (source) মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট (current) নিয়ন্ত্রিত হয়। গেটে ভোল্টেজের পরিবর্তন চ্যানেলের (channel) রেজিস্ট্যান্স পরিবর্তন করে, যার ফলে ড্রেন কারেন্ট পরিবর্তিত হয়। এক্ষেত্রে গেটে কোনো কারেন্ট প্রবাহিত হয় না (বা খুব নগণ্য কারেন্ট প্রবাহিত হয়) কারণ গেটটি একটি ইনসুলেটিং অক্সাইড লেয়ার দ্বারা চ্যানেল থেকে বিচ্ছিন্ন থাকে।

অন্যান্য অপশনগুলো ভুল কারণ:

    
• কারেন্ট-কন্ট্রোল্ড ডিভাইস (current controlled device): এটি সাধারণত বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (BJT) এর বৈশিষ্ট্য, যেখানে বেস কারেন্টের মাধ্যমে কালেক্টর কারেন্ট নিয়ন্ত্রিত হয়।
    
• বাইপোলার ডিভাইস (bipolar device): MOSFET একটি ইউনিপোলার (unipolar) ডিভাইস, কারণ এর কারেন্ট প্রবাহ শুধুমাত্র মেজরিটি কেরিয়ার (majority carrier) (ইলেকট্রন বা হোল) দ্বারা ঘটে। অন্যদিকে, BJT একটি বাইপোলার ডিভাইস কারণ এর কার্যকারিতায় মেজরিটি ও মাইনরিটি উভয় কেরিয়ারের (minority carrier) ভূমিকা থাকে।
    
• ডিভাইসেস উইথ ইন্ডিপেন্ডেন্ট সোর্স (devices with independent source): এই ধারণাটি MOSFET-এর নিয়ন্ত্রণ পদ্ধতির সাথে সরাসরি সম্পর্কিত নয়। একটি স্বাধীন উৎস (independent source) একটি সার্কিট উপাদান যা নির্দিষ্ট ভোল্টেজ বা কারেন্ট সরবরাহ করে এবং অন্যান্য সার্কিট উপাদানের উপর নির্ভরশীল নয়, কিন্তু এটি MOSFET-এর কার্যপ্রণালীর মূল বৈশিষ্ট্য নয়।

সুতরাং, MOSFET হলো একটি ভোল্টেজ-কন্ট্রোল্ড ডিভাইস।