ডায়োড জাংশনের V-I বৈশিষ্ট্য বলতে এর টার্মিনাল জুড়ে প্রয়োগকৃত ভোল্টেজের (V) সাপেক্ষে এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্টের (I) সম্পর্ককে বোঝায়, যা সম্মুখ ও বিপরীত বায়াসে ডায়োডের আচরণ বর্ণনা করে।

ডায়োডের V-I বৈশিষ্ট্য একটি গুরুত্বপূর্ণ ইলেকট্রনিক ধারণা, যা ডায়োডের পরিবাহী ক্ষমতা এবং এর বিভিন্ন প্রয়োগ বুঝতে সাহায্য করে। এই বৈশিষ্ট্য দুটি প্রধান অংশে বিভক্ত:

সম্মুখ বায়াস বৈশিষ্ট্য (Forward Bias Characteristics):

যখন ডায়োডের P-প্রান্তকে N-প্রান্তের সাপেক্ষে ধনাত্মক ভোল্টেজে (উচ্চতর পটেনশিয়ালে) রাখা হয়, তখন ডায়োড সম্মুখ বায়াস অবস্থায় থাকে।
এই অবস্থায়, একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজ (যা 'কাট-ইন ভোল্টেজ' বা 'থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ' নামে পরিচিত) অতিক্রম না করা পর্যন্ত ডায়োডের মধ্য দিয়ে খুব কম পরিমাণে কারেন্ট প্রবাহিত হয়। সিলিকন ডায়োডের জন্য এই ভোল্টেজ প্রায় 0.7V এবং জার্মেনিয়াম ডায়োডের জন্য প্রায় 0.3V।
একবার কাট-ইন ভোল্টেজ অতিক্রম করলে, PN জাংশন অঞ্চলের বিভব প্রাচীর (Potential Barrier) কমে যায় এবং ডায়োডের মধ্য দিয়ে কারেন্ট দ্রুতগতিতে (প্রায় এক্সপোনেনশিয়ালি) বৃদ্ধি পেতে শুরু করে। এই অবস্থায় ডায়োডকে 'অন' বা পরিবাহী ধরা হয়।

বিপরীত বায়াস বৈশিষ্ট্য (Reverse Bias Characteristics):

যখন ডায়োডের N-প্রান্তকে P-প্রান্তের সাপেক্ষে ধনাত্মক ভোল্টেজে (উচ্চতর পটেনশিয়ালে) রাখা হয়, তখন ডায়োড বিপরীত বায়াস অবস্থায় থাকে।
এই অবস্থায়, ডায়োডের মধ্য দিয়ে খুব অল্প পরিমাণে বিপরীত লিকুইড কারেন্ট (Reverse Leakage Current) প্রবাহিত হয়, যা সংখ্যালঘু বাহক (Minority Carriers) দ্বারা সৃষ্ট হয়। এটি সাধারণত মাইক্রোঅ্যাম্পিয়ার (μA) বা ন্যানোঅ্যাম্পিয়ার (nA) পরিসরে থাকে এবং তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল।
যদি বিপরীত বায়াস ভোল্টেজ একটি নির্দিষ্ট সীমা (যা 'ব্রেকডাউন ভোল্টেজ' নামে পরিচিত) অতিক্রম করে, তবে ডায়োড হঠাৎ করে উচ্চমাত্রার কারেন্ট প্রবাহিত করতে শুরু করে, যা জেনার ব্রেকডাউন (Zener Breakdown) অথবা অ্যাভালাঞ্চ ব্রেকডাউন (Avalanche Breakdown) এর কারণে ঘটে। এই অবস্থায় ডায়োড সাধারণত স্থায়ীভাবে ক্ষতিগ্রস্ত হতে পারে যদি কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করা না হয়।

এই বৈশিষ্ট্যগুলো ডায়োডকে রেকটিফায়ার, সুইচ, সিগনাল ক্লাম্পার এবং ভোল্টেজ রেগুলেটর সহ বিভিন্ন ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করার ভিত্তি তৈরি করে।