ইলেকট্রন আসক্তির মানের ক্ষেত্রে নিচের কোন ক্রমটি সঠিক?

ইলেকট্রন আসক্তি (Electron Affinity) হলো কোনো গ্যাসীয় নিরপেক্ষ পরমাণুর সর্ববহিঃস্থ শক্তিস্তরে একটি ইলেকট্রন যুক্ত করে ঋণাত্মক আয়নে পরিণত করার সময় যে শক্তি নির্গত হয়, তার পরিমাণ। এর মান যত বেশি ঋণাত্মক হয়, ইলেকট্রন আসক্তি তত বেশি হয়।

ইলেকট্রন আসক্তির সাধারণ প্রবণতা হলো:

    
• পর্যায় সারণীর একই পর্যায় বরাবর বাম থেকে ডানে গেলে পারমাণবিক ব্যাসার্ধ হ্রাস পাওয়ায় নিউক্লিয়াসের আকর্ষণ বৃদ্ধি পায়, ফলে ইলেকট্রন আসক্তি বৃদ্ধি পায়।
    
• একই গ্রুপ বরাবর উপর থেকে নিচে নামলে পারমাণবিক ব্যাসার্ধ বৃদ্ধি পাওয়ায় নিউক্লিয়াসের আকর্ষণ হ্রাস পায়, ফলে ইলেকট্রন আসক্তি হ্রাস পায়।

তবে, এই সাধারণ প্রবণতার কিছু গুরুত্বপূর্ণ ব্যতিক্রম রয়েছে, যা প্রদত্ত মৌলগুলির ক্ষেত্রে প্রযোজ্য:

    
1. দ্বিতীয় পর্যায় ও তৃতীয় পর্যায়ের মৌলসমূহের তুলনা: দ্বিতীয় পর্যায়ের মৌলগুলির (যেমন কার্বন, C) চেয়ে তৃতীয় পর্যায়ের মৌলগুলির (যেমন সিলিকন, Si) ইলেকট্রন আসক্তি সাধারণত বেশি হয়। এর কারণ হলো, দ্বিতীয় পর্যায়ের মৌলগুলির 2p অরবিটাল আকারে ছোট হওয়ায় এতে নতুন ইলেকট্রন যুক্ত হলে বিদ্যমান ইলেকট্রনগুলির সাথে বিকর্ষণ বেশি হয়। অন্যদিকে, তৃতীয় পর্যায়ের মৌলগুলির 3p অরবিটাল আকারে বড় হওয়ায় ইলেকট্রন-ইলেকট্রন বিকর্ষণ কম হয় এবং ইলেকট্রন সহজে প্রবেশ করতে পারে। তাই, Si-এর ইলেকট্রন আসক্তি C-এর চেয়ে বেশি (Si > C)।
    
2. ১৫ নং গ্রুপের মৌলগুলির ব্যতিক্রম: পর্যায় সারণীর ১৫ নং গ্রুপের মৌলগুলি (যেমন ফসফরাস, P) তাদের p-অরবিটালে অর্ধপূর্ণ ইলেকট্রন বিন্যাস (p³) ধারণ করে, যা তাদের অতিরিক্ত স্থিতিশীলতা প্রদান করে। এই স্থিতিশীলতা ভাঙ্গার জন্য একটি অতিরিক্ত ইলেকট্রন যুক্ত করা কঠিন হয়। ফলে, এই গ্রুপের মৌলগুলির ইলেকট্রন আসক্তি তাদের পার্শ্ববর্তী ১৪ নং গ্রুপের মৌলগুলির (একই পর্যায়ের) চেয়ে কম হয়। তাই, সিলিকন (Si) এর ইলেকট্রন আসক্তি ফসফরাস (P) এর চেয়ে বেশি (Si > P)।

এবার প্রদত্ত মৌল B (বোরন), C (কার্বন), Si (সিলিকন) এবং P (ফসফরাস) এর আপেক্ষিক অবস্থান এবং ইলেকট্রন আসক্তি বিবেচনা করা যাক:

    
• বোরন (B) এবং কার্বন (C) একই পর্যায় ২-এর মৌল। পর্যায় বরাবর ইলেকট্রন আসক্তি বৃদ্ধি পায়, তাই C > B।
    
• কার্বন (C) পর্যায় ২, গ্রুপ ১৪-এর মৌল এবং সিলিকন (Si) পর্যায় ৩, গ্রুপ ১৪-এর মৌল। উপর্যুক্ত ব্যতিক্রম ১ অনুযায়ী, Si > C।
    
• সিলিকন (Si) এবং ফসফরাস (P) একই পর্যায় ৩-এর মৌল। উপর্যুক্ত ব্যতিক্রম ২ অনুযায়ী, Si > P।

এই তথ্যগুলির ভিত্তিতে মৌলগুলির ইলেকট্রন আসক্তির (সবচেয়ে বেশি ঋণাত্মক থেকে সবচেয়ে কম ঋণাত্মক) ক্রম হলো:

সিলিকন (Si) ≈ -134.1 kJ/mol
কার্বন (C) ≈ -121.7 kJ/mol
ফসফরাস (P) ≈ -72.0 kJ/mol
বোরন (B) ≈ -26.7 kJ/mol

সুতরাং, ইলেকট্রন আসক্তির সঠিক ক্রম হলো: Si > C > P > B

প্রদত্ত বিকল্পগুলোর মধ্যে এই সঠিক ক্রমটির সাথে কোনো বিকল্পই মেলে না।

প্রদত্ত শর্ত বা তথ্য অনুযায়ী এখানে কোনো অপশনই সঠিক নয়।