In a transistor, the operating point is most stable when using:

ট্রানজিস্টরের অপারেটিং পয়েন্টকে সবচেয়ে স্থিতিশীল রাখতে সেলফ-বায়াস (Self-Bias) অথবা ভোল্টেজ ডিভাইডার বায়াস (Voltage Divider Bias) পদ্ধতি ব্যবহার করা হয়। এই পদ্ধতিতে, বেস ভোল্টেজকে দুটি রেজিস্টর (R1 এবং R2) দ্বারা গঠিত একটি ভোল্টেজ ডিভাইডার নেটওয়ার্কের মাধ্যমে স্থির রাখা হয়। এর পাশাপাশি ইমিটার সার্কিটে একটি রেজিস্টর (RE) ব্যবহার করা হয় যা নেগেটিভ ফিডব্যাক (Negative Feedback) প্রদান করে।

এই নেগেটিভ ফিডব্যাক ট্রানজিস্টরের তাপমাত্রা বৃদ্ধি বা \(\beta\) পরিবর্তনের কারণে কালেক্টর কারেন্ট (IC) বেড়ে গেলে তা স্বয়ংক্রিয়ভাবে নিয়ন্ত্রণ করে। যখন IC বাড়ে, তখন RE এর ভোল্টেজ ড্রপ (\(V_E = I_E R_E\)) বাড়ে। যেহেতু বেস ভোল্টেজ (VB) তুলনামূলকভাবে স্থির থাকে, তাই \(V_{BE} = V_B - V_E\) কমে যায়। \(V_{BE}\) কমে যাওয়ায় বেস কারেন্ট (IB) কমে যায় এবং ফলস্বরূপ IC আবার কমে আসে, যা Q-পয়েন্টকে স্থিতিশীল রাখে। এই পদ্ধতি \(\beta\) এর উপর Q-পয়েন্টের নির্ভরতা অনেক কমিয়ে দেয়।

অন্যান্য বায়াসিং পদ্ধতির স্থিতিশীলতা:

    
• ফিক্সড বায়াস (Fixed Bias): এটি সবচেয়ে সহজ বায়াসিং পদ্ধতি হলেও এর স্থিতিশীলতা সবচেয়ে কম। \(\beta\) বা তাপমাত্রার সামান্য পরিবর্তনেও এর অপারেটিং পয়েন্ট (Q-point) ব্যাপকভাবে পরিবর্তিত হয়।
    
• কালেক্টর-টু-বেস বায়াস (Collector-to-Base Bias): এই পদ্ধতিতে কিছু নেগেটিভ ফিডব্যাক রয়েছে কারণ কালেক্টর থেকে বেসে একটি রেজিস্টর যুক্ত থাকে। এটি ফিক্সড বায়াসের চেয়ে ভালো স্থিতিশীলতা দেয়, কিন্তু সেলফ-বায়াসের মতো শক্তিশালী নয়। কারণ এর ফিডব্যাক সরাসরি কালেক্টর থেকে আসে, যা \(\beta\) পরিবর্তনের উপর সেলফ-বায়াসের মতো কার্যকরভাবে প্রভাব ফেলে না।
    
• টু ব্যাটারি বায়াস (Two battery Bias): এটি নির্দিষ্ট কোনো বায়াসিং টেকনিকের নাম নয় যা স্থিতিশীলতার জন্য বিশেষভাবে পরিচিত। যদিও একাধিক ব্যাটারি বিভিন্ন সার্কিটে ব্যবহৃত হতে পারে, তবে এটি স্বয়ংক্রিয় স্থিতিশীলতার জন্য কোনো নির্দিষ্ট ডিজাইনকে নির্দেশ করে না।