A, B ও C মৌল তিনটি পর্যায় সারণির ৩য় পর্যায়ে অবস্থিত। এদের বহিঃস্থ স্তরের ইলেকট্রনিক গঠন নিম্নরূপ-

কোনো অণুতে উপস্থিত দুটি পরমাণুর মধ্যে শেয়ারকৃত ইলেকট্রন যুগলকে একটি পরমাণুর নিজের দিকে আকর্ষণ করার ক্ষমতাকে তার তড়িৎ ঋণাত্মকতা বলে।

Rb একটি ক্ষার ধাতু। কারণ- Rb ধাতু সরাসরি পানির সাথে তীব্রভাবে বিক্রিয়া করে তীব্র ক্ষার রুবিডিয়াম হাইড্রোক্সাইড তৈরি করে। যা একটি ক্ষার ধাতুর অনন্য বৈশিষ্ট্য।

$2Rb +2H_{2}O \to 2RbOH+H_2$

উদ্দীপকের বর্ণিত B মৌলটি যেহেতু ৩য় পর্যায়ে এবং এর সর্বশেষ কক্ষপথে িেট ইলেকট্রন বিদ্যমান সেহেতু মৌলটির ইলেকট্রন বিন্যাস হবে

$B \to 2,8,6$

B মৌলটির পারমাণবিক সংখ্যা হলো 16 এবং মৌলটি হবে সালফার (S)। S এর ইলেকট্রন বিন্যাস নিম্নরূপ-

$S \to 1s^{2}2s^{2}2p^{6}3s^{2}3p_x^{2}3p_y^{1}3p_z^1$

$\Rightarrow S \to 1s^{2}2s^{2}2p^{6}3s^2$

উপরিউক্ত ইলেকট্রন বিন্যাস হতে দেখা যায় যে 3p অরবিটালে 4টি ইলেকট্রন রয়েছে এখানে অযুগ্ম ইলেকট্রন সংখ্যা ২টি। আমরা জানি, পরমাণুর শেষ কক্ষপথে অযুগ্ন ইলেকট্রন সংখ্যাই তার যোজনী নির্দেশ করে। শেষ অরবিটালে অযুগ্ম ২টি ইলেকট্রন থাকায় এর যোজনী হয় ২। যদি S কে উত্তেজিত করা হয় তবে 3p অরবিটালের যুগ্ম ইলেকট্রন ভেঙে 4s অরবিটালে প্রবেশ করবে। সেক্ষেত্রে এর ইলেকট্রন বিন্যাস হবে নিম্নরূপ :

$S \to 1s^{2}2s^{2}2p^{6}3s^{2}3p_x^{1}3p_y^{1}3p_z^{1}4s^1$

উপরিউক্ত ইলেকট্রন বিন্যাস হতে দেখা যায় যে উত্তেজিত S এ অযুগ্ম ইলেকট্রন সংখ্যা হলো 4 অর্থাৎ এক্ষেত্রে, S এর যোজনী হবে 4।
S কে যদি আরও উত্তেজিত করা হয়, তখন 3s অরবিটালের যুগ্ম ইলেকট্রন ভেঙে যায় এবং 3d অরবিটালে প্রবেশ করে। তখন এর ইলেকট্রন বিন্যাস হয়:

$S \to 1s^{2}2s^{2}2p^{6}3s^{1}3p_x^{1}3p_y^{1}3p_z^{1}4s^{1}3d^1$

এখানে, চটি অযুগ্ম ইলেকট্রন রয়েছে। সুতরাং, যোজনী 6।
উপরিউক্ত আলোচনা থেকে বলা যায়, S এর যোজনী 2, 4 ও 6। অর্থাৎ S একাধিক যোজনী প্রদর্শন করতে পারে।

উদ্দীপকে উল্লেখিত তিনটি মৌল ৩য় পর্যায়ে অবস্থিত। A, B এবং C মৌল তিনটির সর্বশেষ ৩য় কক্ষপথে ইলেকট্রন রয়েছে যথাক্রমে 4. 6 এবং ৪টি। সুতরাং A, B এবং C মৌল তিনটির পারমাণবিক সংখ্যা হবে যথাক্রমে 14, 16 এবং 18 এবং মৌল তিনটি হবে যথাক্রমে Si, S এবং Ar

Si, S এবং Ar এর পারমাণবিক আকার ভিন্ন। আমরা জানি একই পর্যায়ের যত বাম থেকে ডান দিকে যাওয়া যায় পারমাণবিক আকার তত হ্রাস পায়। কারণ, বাম থেকে ডানে গেলে নিউক্লিয়াসে ধনাত্মক প্রোটন সংখ্যা ও শেষ কক্ষপথে ইলেকট্রন সংখ্যা বাড়ে কিন্তু কক্ষপথ সংখ্যা বাড়ে না। তাই প্রোটন ও ইলেকট্রনের আকর্ষণ বাড়ে তাই আকার হ্রাস পায়। এই তিনটি মৌলের মধ্যে Si ৩য় পর্যায়ের 14 নং গ্রুপের মৌল। Si এর ডানে 16 নং গ্রুপের মৌল হলো S এবং Si এর সর্বডানের মৌল Ar। সুতরাং মৌলটির মধ্যে Si এর আকার সবচেয়ে বড় এবং Ar এর আকার সবচেয়ে ছোট ফলে মৌল তিনটির আকারের কম-

Si > S > Ar

অপরদিকে এদের ইলেকট্রন আসক্তি ভিন্ন। কারণ একই পর্যায়ের যত বাম থেকে ডান দিকে যাওয়া যায় ইলেকট্রন আসক্তি তত বৃদ্ধি পায়।
Si যেহেতু অপর দুটি হতে বামে অবস্থান করে সেহেতু তার ইলেকট্রন আসক্তি ১ হতে কম হবে। Ar ৩য় পর্যায়ের সর্বডানে শূন্যগ্রুপে অবস্থান করে। তাই Ar এর যোজনী ইলেকট্রন শেল সম্পূর্ণরূপে পূর্ণ। Ar এর ইলেকট্রন গ্রহণ করার কোন প্রবণতা থাকে না। এর ইলেকট্রন আসক্তি প্রায় শূন্য। সুতরাং, এ তিনটি মৌলের ইলেকট্রন আসক্তির ক্রম:

Ar < Si < S

সুতরাং, মৌল তিনটির আকার ও ইলেকট্রন আসক্তি ভিন্ন।